L-Istati Uniti tiżviluppa materjali semikondutturi b'konduttività termali għolja biex irażżnu t-tisħin taċ-ċippa.
Biż-żieda fin-numru ta 'transistors fiċ-ċippa, il-prestazzjoni tal-kompjuters tal-kompjuter tkompli titjieb, iżda d-densifikazzjoni għolja tipproduċi wkoll ħafna hot spots.
Mingħajr teknoloġija ta 'ġestjoni termali xierqa, minbarra li tnaqqas il-veloċità tal-operat tal-proċessur u tnaqqas l-affidabbiltà, hemm ukoll raġunijiet għal Tipprevjeni sħana żejda u teħtieġ enerġija addizzjonali, u toħloq problemi ta' ineffiċjenza tal-enerġija.Sabiex issolvi din il-problema, l-Università ta 'California, Los Angeles żviluppat materjal semikonduttur ġdid b'konduttività termali estremament għolja fl-2018, li huwa magħmul minn arsenide tal-boron mingħajr difetti u fosfid tal-boron, li huwa simili għal materjali eżistenti ta' dissipazzjoni tas-sħana bħal djamant u karbur tas-silikon.proporzjon, b'aktar minn 3 darbiet il-konduttività termali.
F'Ġunju 2021, l-Università ta 'Kalifornja, Los Angeles, użat materjali semikondutturi ġodda biex jikkombinaw ma' ċipep tal-kompjuter ta 'qawwa għolja biex trażżan b'suċċess il-ġenerazzjoni tas-sħana taċ-ċipep, u b'hekk ittejjeb il-prestazzjoni tal-kompjuter.It-tim ta 'riċerka daħħal is-semikonduttur tal-arsenide tal-boron bejn iċ-ċippa u s-sink tas-sħana bħala kombinazzjoni tas-sink tas-sħana u ċ-ċippa biex itejjeb l-effett tad-dissipazzjoni tas-sħana, u wettaq riċerka dwar il-prestazzjoni tal-ġestjoni termali tal-apparat attwali.
Wara li tgħaqqad is-sottostrat tal-arsenide tal-boron mas-semikonduttur tan-nitrur tal-gallju b'distakk wiesa 'enerġetiku, ġie kkonfermat li l-konduttività termali tal-interface tan-nitrur tal-gallju/arsenide tal-boron kienet għolja daqs 250 MW/m2K, u r-reżistenza termali tal-interface laħqet livell estremament żgħir.Is-sottostrat ta 'l-arsenide tal-boron huwa kkombinat aktar ma' ċippa avvanzata ta 'transistor ta' mobilità ta 'elettroni għolja magħmula minn nitrur tal-gallju tal-aluminju/nitrur tal-gallju, u huwa kkonfermat li l-effett tad-dissipazzjoni tas-sħana huwa sinifikament aħjar minn dak tad-djamant jew tal-karbur tas-silikon.
It-tim ta 'riċerka ħaddem iċ-ċippa fil-kapaċità massima, u kejjel il-post sħun mit-temperatura tal-kamra għall-ogħla temperatura.Ir-riżultati sperimentali juru li t-temperatura tas-sink tas-sħana tad-djamanti hija 137°C, is-sink tas-sħana tal-karbur tas-silikon huwa 167°C, u s-sink tas-sħana tal-arsenide tal-boron huwa biss 87°C.Il-konduttività termali eċċellenti ta 'din l-interface ġejja mill-istruttura tal-faxxa fononika unika tal-arsenide tal-boron u l-integrazzjoni tal-interface.Il-materjal tal-arsenide tal-boron mhux biss għandu konduttività termali għolja, iżda għandu wkoll reżistenza termali ta 'interface żgħira.
Jista 'jintuża bħala sink tas-sħana biex tinkiseb qawwa operattiva ogħla tal-apparat.Huwa mistenni li jintuża f'komunikazzjoni bla fili fuq distanza twila u ta 'kapaċità għolja fil-futur.Jista 'jintuża fil-qasam tal-elettronika tal-qawwa ta' frekwenza għolja jew ippakkjar elettroniku.
Ħin tal-post: Awissu-08-2022